Јапонски производител на микроциркути Киоксија развиена флеш меморија NAND со приближно 170 слоеви, придружувајќи им се на американскиот колега Micron Technology и јужнокорејскиот SK Hynix во развојот на напредни технологии.
Новата NAND меморија е развиена заедно со американски партнер Western Digital и може да снима податоци двојно побрзо од моменталниот врвен производ на Kioxia, кој се состои од 112 слоеви.
Порано познат како Toshiba Memory, Kioxia планира да го претстави својот нов NAND на Меѓународната конференција за цврста состојба, годишниот глобален форум на индустријата за полупроводници, а планира да започне со масовно производство веќе следната година.
Се надева дека ќе ја задоволи побарувачката поврзана со центрите за податоци и паметните телефони, бидејќи ширењето на безжичните технологии од петтата генерација доведува до зголемен обем и брзина на пренос на податоци. Но, конкуренцијата на ова поле веќе се интензивира: Micron и SK Hynix ги најавуваат своите нови производи.
Kioxia, исто така, успеа да собере повеќе мемориски ќелии по слој со својот нов NAND, што значи дека може да направи чипови 30% помали од другите со иста количина на меморија. Помалите микроциркути ќе овозможат поголема флексибилност во креирањето на паметни телефони, сервери и други производи.
За да го зголемат производството на флеш меморија, Kioxia и Western Digital планираат да започнат со изградба на фабрика вредна 9,45 милијарди долари во Јокаидо, Јапонија оваа пролет. Тие имаат за цел да ги стават во функција првите линии веќе во 2022 година.
Прочитајте исто така: