Компанијата микрон технологија го најави почетокот на испораките на првата светска флеш меморија од 176 слоеви 3D NAND. Според производителот, употребата на напредна архитектура овозможи да се направи „радикален пробив“, значително зголемувајќи ја не само густината на складирањето, туку и перформансите. Новата меморија ќе наоѓа апликации во складиште за центри за податоци, паметни периферни уреди и мобилни уреди.
Новитетот е петтата генерација на 3D NAND и во втората генерација на RG (замена-порта) архитектура, која е технолошки најнапредната меѓу развојот на пазарот. Во споредба со претходната генерација на 3D NAND произведени од Micron, доцнењата за читање и пишување се намалени за повеќе од 35%. Друга предност е компактниот дизајн - 176-слојната мемориска матрица е приближно 30% помала од понудата на најдобрите конкуренти во класата, што ја прави новата меморија идеална за апликации каде што е важен мал фактор на форма.
Петтата генерација на 3D NAND на Micron може да се пофали и со водечка во индустријата стапка на пренос на податоци од 1600 милиони преноси во секунда (MT/s) преку магистралата Open NAND Flash Interface (ONFI), што е 33% побрзо од 1200 MT/s постигнати со 96-слоеви и 128-слојни 3D NAND Micron-мемории од претходните генерации.
Микрон работи со претставници на индустријата за да го забрза усвојувањето на новата меморија. 176-слојната 3D NAND меморија на Micron со три нивоа е во сериско производство во фабриката на Micron во Сингапур и сега е достапна за клиентите, вклучително и преку линијата на потрошувачки погони со цврста состојба на Crucial. Компанијата ќе воведе дополнителни нови производи базирани на оваа технологија во текот на календарската 2021 година.
Прочитајте исто така:
- Sony најавува нов проект Airpeak дрон
- Продажбата на мобилниот стеадикам - FeiyuTech AK2000С започна во Украина