Samsung Електроника има намера да ослободи 1 TB DDR5 меморија во еден модул благодарение на пробивот во производството на DRAM.
Јужнокорејска компанија развиена првата 32-гигабитна (GB) DDR5 RAM меморија во индустријата за меморија со најголем капацитет, користејќи процес од 12 nm. Благодарение на ова Samsung ќе може да произведува мемориски модули од 5TB DDR1, но има уште една придобивка од преместувањето на 32GB DRAM. Во споредба со постојните 5GB DDR16 DRAM модули произведени со процес од 12nm, потрошувачката на енергија на модулите од 128GB ќе се намали за 10%.
Според Sang-Joon Hwan, потпретседател на DRAM производи и технологија во Samsung Електроника, првично главни потрошувачи на оваа меморија ќе бидат центрите за податоци, вештачката интелигенција и големите податоци: „Благодарение на нашата 32 гигабајти DRAM меморија од класата 12 nm, добивме решение кое ќе овозможи создавање на DRAM модули со волумен до 1 TB, што ќе ни овозможи да бидеме идеално позиционирани за да ја задоволиме растечката потреба за RAM меморија со висок капацитет во ерата на вештачка интелигенција (вештачка интелигенција) и големи податоци… Ќе продолжиме да развиваме DRAM решенија користејќи диференцирани производни процеси и дизајн технологии за поместување на границите на мемориската технологија“.
Повеќе меморија во помалку простор со помала потрошувачка на енергија секогаш ќе биде популарна кај операторите на центрите за податоци. Сепак, оваа технологија за меморија на крајот треба да мигрира на модулите DDR5 што се користат во нашите десктоп компјутери и лаптопи. Во моментов, комплетите за меморија од 192 GB што се состојат од четири модули се чини дека се највисоко ниво за потрошувачите.
Прочитајте исто така: